论文部分内容阅读
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的，描述该效应的微分方程早已建立，这里设计了一种用ＳＰＩＣＥ验证精确解／近似解的新方法。结果表明：近似解是在Ｖ（ｘ）〈〈ＶＴ的前提条件下求得的，仅在弱注入区和中等注入区适用，不能给出在强注入区和极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数；相反，基于精确的理论却能给出从弱注入区到极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数，且与用ＳＰＩＣＥ模拟得到的结果