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分别论述了曝光照明配合和了工艺产生的场内套准误差。在当前的光学工艺中，变形照明技术（如环形照明、四极照明及小σ孔径照明技术）被广泛用来拓展光学光刻的实用极限，同时，同时，由于每种照明条件具有不同的光学特性，可使场内套准变差。ＣＭＯＳ器件制造中隔离工艺也被视为产生场内套准误差的关键步骤，来自热循环和各种类型膜的圆片应力可诱发这种误差。并研究了照明条件配合、隔离模式、场氧化温度、厚度等的效应。通过曝光