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利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc-Si:H),形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C-V和J-V测试研究了二极管的电学性质。C-V特性指出该异质结为突变型。J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制:小偏压时(<0.8V)二极管电流由 耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定,纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度,这是该二极管温度稳定性好的根本原因;大偏压(>1.0V)时电输运符合电荷限制电流(SCLC)模型。负偏