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设计了一种外置式电感耦合等离子增强化学气相沉积装置，并利用该装置在n型硅片上低温沉积了SiO2薄膜。通过扫描电子显微镜（SEM）、傅立叶变换红外吸收谱（FTIR）等对生长的薄膜进行表征。SEM测试结果表明，利用该装置沉积的SiO2薄膜表面平整，薄膜均匀性好；根据FTIR图中Si-O峰的横向与纵向光学声子吸收峰的分析发现，沉积功率越大，薄膜越疏松；等离子体区域内不同位置沉积的薄膜均匀，能够用于大规模、大面积的工业生产。此外，为了方便地获知Sio2薄膜的厚度，我们推导出了50W的功率下，薄膜厚度随沉积温度、沉