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ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度1．98×10^20cm^-3，霍尔迁移率61．9cm^2／（V·s），可见光范围内（波长400～800nm）的平均透过率大于85％．