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垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器
垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:samzy
【摘 要】
:
报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到了 1 .3μm以上波段 .在 1 .3μm处量子效率
【作 者】
:
李成
杨沁清
【机 构】
:
InstofSemiconductors
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2000年5期
【关键词】
:
光电探测器
多量子阱
锗化硅
垂直入射
photodetectors
MQW
SiGe/Si
【基金项目】
:
国家自然科学重大基金!( 698962 60 ),,国家自然科学重点基金!( 6978980 2 ),,国家“863”计划 !863 -3 0 7-1 5-4 ( 0 3 )
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报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到了 1 .3μm以上波段 .在 1 .3μm处量子效率为0 .1 % .量子效率峰值在 0 .95μm处达到 2 0 % .
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