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报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到了 1 .3μm以上波段 .在 1 .3μm处量子效率为0 .1 % .量子效率峰值在 0 .95μm处达到 2 0 % .
垂直入射Si0.7Ge0.3／Si多量子阱光电探测器
【摘 要】
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报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到了 1 .3μm以上波段 .在 1 .3μm处量子效率
【机 构】
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InstofSemiconductors
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国家自然科学重大基金!( 698962 60 ),,国家自然科学重点基金!( 6978980 2 ),,国家“863”计划 !863 -3 0 7-1 5-4 ( 0 3 )
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