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为研究感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机腔室与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布均匀性的影响，基于商业软件CFD-ACE＋中等离子体与电磁场等模块建立了ICP刻蚀机二维放电模型。仿真研究了典型工艺条件（1.33Pa，200W，200sccm）下氩等离子体电子温度与电子数密度的空间分布，对比了不同气压与功率条件下等离子体参数在硅片表面的一维分布。结果表明，电子数密度随气压与功率的增加而升高；电子温度随气压的增加而降低，随功率增加在较小范围内先降低再升高。通过分析屏蔽板对等离子体参数的影响，发现其有助于提高等离