ISFET传感器不稳定性的起因及其改善技术研究

来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leolee4510

【摘要】

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本文用实验证实了氮化硅敏感膜表面存在OH-羟基和NH2氨基团.指出了氢离子FET传感器不稳定的主要原因:敏感膜表面和溶液中羟基团的活跃性;被测溶液OH-羟基因及其pH值随时间而

【作者】

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陈克铭李国花

【机构】

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中科院半导体所传感技术联合开放研究国家实验室,中科院半导体所传感技术联合开放研究国家实验室

【出处】

：

传感技术学报

【发表日期】

：

1993年4期

【关键词】

：

ISFET 传感器稳定性 ISFET sensor instability source improving way

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本文用实验证实了氮化硅敏感膜表面存在OH-羟基和NH2氨基团.指出了氢离子FET传感器不稳定的主要原因:敏感膜表面和溶液中羟基团的活跃性;被测溶液OH-羟基因及其pH值随时间而变化,敏感膜固/液两相界面势的变化.还证实了氢离子敏FET传感器长期不稳定性与氮化硅敏感膜沉积工艺有关.通过调整或控制敏感膜表面或界面上羟基和氨基因及其比率,可以解决氢离子敏FET的长期稳定性.更多还原

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