光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

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【摘要】

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介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统,简称U3CVD系统.应用该系统,在4

【作者】

：

戴显英胡辉勇张鹤鸣孙建诚

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

紫外光化学汽相淀积超高真空化学汽相淀积超低压化学汽相淀积异质结硅锗材料双极晶体管 UHV(Ultra High Vacuum) UV(Ultravio

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介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统,简称U3CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.

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