硅锗材料相关论文
详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同......
摘 要：该研究从有序调控带隙宽度（非晶和微晶硅锗薄膜）、改进硅基薄膜的光电特性（大晶粒薄膜多晶硅）和拆分带隙（中间带硅基材料）等方面，来......
由于受热力学基本定律的限制,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限,而SiGe材料的引入使得占据小于1 GHz频段的Si产品可以进一步......
介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (C......
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂......
在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在......
