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位于Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近的个有长时间常数的载流陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响。根据笔者建立的双极晶体管表面１／ｆ噪声分析模型，通过测量栅控晶体管１／ｆ噪声的栅压特性，可获得这种慢界面陷阱密度在禁带中心附近的能量分布。
双极型器件慢界面陷阱能量分布的1／f噪声分析方法
【摘 要】
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位于Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近的个有长时间常数的载流陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响。根据笔者建立的双极晶体管表面１／ｆ噪声分析模型，通过测量栅控晶体管１／ｆ噪声的栅压特性，可获得这种慢界面
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,中国科学院西安光学精密机械研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年6期
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