聚硅氧烷转化Si-O-C陶瓷的电阻率

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bluesky8013
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由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷,其电阻率为2220Ω·cm。在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al/Si-O-C和MoSi2/Si-O-C陶瓷。制备温度对材料电阻率有很大的影响。
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