：以聚硅氧烷为先驱体，SiC为惰性填料，A1为活性填料，考察了活性填料A1在聚硅氧烷转化制备si-O-C复合材料中的应用。研究发现：600℃时，活性......

由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷，其电阻率为2220Ω·cm。在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al／Si-O-C和MoSi2／Si-O......

研究了含氢聚硅氧烷(HPSO)与含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)的交联与裂解。研究发现，氯铂酸能有效催化两者之间的交联反应。催化剂的质量分......

以CVI方法制备基体、以PIP工艺制备界面层成功制备出了具有Si-O-C界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-O-C/Si-C-N),研究......