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用旋转二次谐波产生方法研究了半花菁／花生酸Y型交替LB多层膜中由外加法向直流电场诱导的分子的重新取向.外加法向直流电场能够有效地改变LB膜中光学活性半花菁分子的取向，迫使其长轴转向电场的方向.随着极化电场的增大，分子在基板平面内的各向异性逐渐减小，而二次谐波强度的增量则随外加电场的增大而呈现平方增长的规律.在室温下，用1.3×106V／m的电场极化10min，可以使半花菁LB多层膜的二次谐波强度增大一个量级.