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利用集成在金刚石对顶砧上的测量微电路研究了CdSe粉末在高压条件下的交流阻抗谱，在低于2．8GPa时显示出两个交叠的半圆弧，在高于2．8GPa时显示出一个不完整的半圆弧和一个压缩的半圆弧，这表明在高压条件下CdSe粉末中始终存着两个电传导过程，分别对应于晶体内传导过程和晶界传导过程．运用等效电路法我们获得了CdSe晶体体电阻随压力的变化关系，分别在2．8GPa，10．0GPa和17．0GPa附近观察到了体电阻的异常变化，这些异常变化源于CdSe在高压条件下的结构相变和电子相变．