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研究了利用低压MOVPE宽条（15μm）选区外延生长InGaAsP的性质。研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、Ⅲ族源流量的变化规律，给出了合理的解释，同时研究了不同V/Ⅲ比下选择性生长InGaAsP表面尖角的性质。
利用MOVPE选区外延生长InGaAsP
【摘 要】
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研究了利用低压MOVPE宽条（15μm）选区外延生长InGaAsP的性质。研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、Ⅲ族源流量的变化规律，给
【机 构】
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中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :90 10 10 2 3 )~~
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