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提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构，由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成，分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到200~1400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数，如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时，该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前，400 nm波长光线的电流增益可以对达到50。对改进雪崩光电二极管器件的工艺流程也进行了讨论。