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氮化铝薄膜具有高折射率，良好的化学稳定性，耐磨摩、高电阻等特性在微电子器件和光学薄膜中有着广泛地应用．本文研究了反应式磁控溅射方法利用Ar／N2混合气体镀制氮化铝薄膜的工艺过程，实验表明在高真空和高泵浦速率条件下，放电电压直接依赖于反应气体珠浓度．薄膜的折射率，消光系数和薄膜硬度都依赖于氮气浓度的比例．通过工艺研究，找到了氮气在不同浓度下对氮化铝薄膜的折射率，消光系数以及薄膜硬度的影响，找出了镀制氮化镀制氮化铝薄膜的最佳工艺参数．在Ar／N2工作气体中氮气含量保持在40％条件下，用反应式磁控溅射方法，可以