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通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特怀和Ｉ－Ｖ特性与般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型－－两个背靠背的二极和客一个电阻的串联，能很好地解释该器件的正反向特性。
紫外敏感硅光伏二极管的正向特性
【摘 要】
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通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特怀和Ｉ－Ｖ特性与般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型－－两个背靠背
【机 构】
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中南民族学院
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1998年5期
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