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基于碳化硅材料的优越性能,进行了4H-SiC pn结二极管正向工作区内电学特性和热学特性的模拟研究。仿真分析表明4H-SiC pn结二极管具有高温稳定性,在温度达到600K时仍具有稳定的扩散区,压降在1.4V~1.9V区间,电流范围为10-8A~10-3A,理想因子n为1.7~1.8,明显优于Si二极管。