4H型碳化硅相关论文
在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行......
基于碳化硅材料的优越性能,进行了4H-SiC pn结二极管正向工作区内电学特性和热学特性的模拟研究。仿真分析表明4H-SiC pn结二极管......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅（SiC）结势垒肖特基（JBS）二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率......
碳化硅Pi N二极管是一种理想的高压二极管器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点。通过使用有限元分析的方法对器件外延层......
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚......
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终......
设计了一种击穿电压大于1700V的SiCMOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进......
