【摘 要】
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采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0.22Cd0.78In2Te4晶体.当晶体生长到预定长度时,淬火得到固液界面.采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
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采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0.22Cd0.78In2Te4晶体.当晶体生长到预定长度时,淬火得到固液界面.采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌和数量以及沿生长方向的相析出规律,并进行了相成分分析.研究发现,淬火得到的Mn0.22 Cd0.78In2Te4晶体中存在两个界面,其中一个为固液相变界面,另一个为由α+β两相区发展到单相β区时的转变界面,二者相对于生长初始端均为凹形;α+β两相区中,β相以条状
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