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本文简单叙述了锑化铟(InSb)电荷注入(CID)探测列阵的基本原理和工艺条件,并给出了实验结果。介绍了一种新颖的、与常规不同的铬膜淀积工艺,使用了控制厚度的监控探针和改善薄膜厚度均匀性的双源。厚度可控制在60～100,这个技术可提供满足器件制作要求的金属膜,达到了预期的目的。
用于锑化铟电荷注入探测列阵的金属薄膜的制备和厚度控制
【摘 要】
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本文简单叙述了锑化铟(InSb)电荷注入(CID)探测列阵的基本原理和工艺条件,并给出了实验结果。介绍了一种新颖的、与常规不同的铬膜淀积工艺,使用了控制厚度的监控探针和改善
【机 构】
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重庆光电技术研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1989年4期
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