Growth properties of gallium oxide on sapphire substrate by plasma-assisted pulsed laser deposition

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sgrwflh

【摘要】

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Gallium oxide was deposited on a c-plane sapphire substrate by oxygen plasma-assisted pulsed laser deposition(PLD).An oxygen radical was generated by an inducti

【作者】

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Congyu Hu Katsuhiko Saito Toor

【机构】

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DepartmentofElectricalandElectronicEngineering

【出处】

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半导体学报:英文版

【发表日期】

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2019年12期

【关键词】

：

WIDE bandgap GALLIUM oxide oxygen RADICAL PULSED laser DEPOSITION plasma

【基金项目】

：

This work was partially supported by the Scientific Research(No.16K06268),the Partnership Project for Fundamental Technology Researches of the Ministry of Education,Culture,Sports,Science and Technolo

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Gallium oxide was deposited on a c-plane sapphire substrate by oxygen plasma-assisted pulsed laser deposition(PLD).An oxygen radical was generated by an inductive coupled plasma source and the effect of radio frequency(RF)power on growth rate was investig

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