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利用脉冲激光淀积（PLD）技术在6H—SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜．利用X射线衍射（XRD），反射式高能电子衍射（RHEED）和同步辐射掠入射X射线衍射（SRGID）垂扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构．结果表明：在单晶6H—SiC衬底上制备的ZnO薄膜已经达到单晶水平，不同入射角的SRGID结果，显示了ZnO薄膜内部不同深度处α方向的晶格弛豫是不一致的，从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处，α方向的晶格常数分别为0．3264、0．3272和0．3223nm．通过计算得到ZnO薄膜的泊松