【摘 要】
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ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料（Eg=3.4 eV）,具有优异的晶格、光学和电学性质,稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO∶Re^3＋纳米晶发光强度、峰位变化等光学性质具有重
【基金项目】
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黑龙江省教育厅科学技术研究项目（10543072,10553023）和哈尔滨市科学研究基金项目（2004AFXXJ005）资助
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ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料（Eg=3.4 eV）,具有优异的晶格、光学和电学性质,稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO∶Re^3＋纳米晶发光强度、峰位变化等光学性质具有重要影响。利用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）,在不同退火温度下,制备了不同浓度的ZnO∶Tb^3＋纳米晶。室温下,测量了样品的X射线衍射谱（XRD）、光致发光谱（PL）和激发谱（PLE）。观察到纳米ZnO基质在520 nm附近宽的绿光可见发射和稀土Tb^3＋在485,544,584和620 nm附近的特征发射。通过ZnO基质
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