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应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响.槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的,而此种结构对热载流子的敏感,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大.
新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究
【摘 要】
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应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响.槽栅结构对抑制短沟道效应和
【机 构】
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华中科技大学图像所IC设计中心,华中科技大学图像所IC设计中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2003年4期
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