槽栅结构相关论文
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体以其优异的物理性能成为下一代理想的电力电子材料,但是在GaN电力电子器件全面实现商品化道路上,仍......
本文提出一种新型的TIGBT结构,与传统的TIGBT器件相比它的不同之处在于:在漂移区(N-drift)与场阻层(Field-Stop/N-buffer)之间插入SJ......
如何缓解功率LDMOS(Lateral Double-diffusion Metal Oxide Semiconducor)耐压与比导通电阻之间的矛盾关系,一直是业界研究的热点......
随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件尺寸快速缩小,电源电压持续降低,电路的集成度大大提高,可由此带来的集成电路老化问题变......
应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载......
通过实验成功得到了0.1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移......
对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本......
随着科学技术的飞速发展,电气领域对于电力电子器件的性能要求也越来越高,IGBT作为重要的电力电子器件,其各方面性能也在不断提升......
宽禁带材料GaN作为第三代半导体,某些电学性能较Si材料更优。基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)能够适应高温、高压......
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