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利用ＲＥＳＵＲＦ技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ。本文介绍了该高压ＬＥＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺测试结果，此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅－金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。
高压RESURF LDMOSFET的实现
【摘 要】
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利用ＲＥＳＵＲＦ技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ。本文介绍了该高压ＬＥＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺测试结果，此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面
【机 构】
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电子科技大学微电子所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1995年8期
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