LDMOSFET相关论文
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）和LDMOSFET（Lateral Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor......
设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)......
介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)器件的设计原理,分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性......
采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂......
本文简述了RF功率MOSFET器件的应用，分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF功率MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸......
利用ＲＥＳＵＲＦ技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ。本文介绍了该高压ＬＥＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺测试结果，此外，本文还......
针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI（PSOI）横向双扩散MOSFET（LDMOSFET）进行了结构优化分析，发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层......
论述了RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点.从与双极晶体管相比较的角度,讨论了这种器件的优异性能.对其发展动态和应用情况作了......
本文对全固态发射机中场效应管放大器的组成、工作原理和特点进行了详细分析,目前全固态发射机功率放大器使用的都是场效应管。......
设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没......
设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET．该器件具有良好的直流和射频特性：输出曲线平滑，没有明显翘曲（kink）效应；静......
提出一种精确的体接触RF-SOI（radio frequency silicon-on-insulator）LDMOSFET（1ateral double diffusedMOSFET）大信号等效电路模型．模......
高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度......
设计了一种新型图形化SOI（pattemed-Silicon-On-Insulator）LDMOSFET（lateral doublediffused MOSFETs）结构,埋氧层在沟道下方是间断的.......
本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热......
迅速发展的无线通讯技术推动射频集成电路向着高速、低功耗和更高集成度的方向发展,这时,传统的GaAs和体硅衬底平台将面临散热和功......
基于自主开发的LDMOS工艺平台，研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件，并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50V，在工作脉宽1ms、占......
随着半导体技术的迅猛发展,集成电路迈向超大集成度、更快速、更大信息存储量的步伐逐渐加快,为了满足这些日益发展的需求,作为集......
