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利用sicl4/Ar/H。气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCh,Ar和Hz的流量分别为2,4,1mL·min-1,样品室压力为0.400Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486nm·min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20nm