【摘 要】
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室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In2O3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In2O3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合
【机 构】
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宝山钢铁股份有限公司营销中心,辽宁科技大学材料与冶金学院,辽宁三三工业有限公司研究设计院
【基金项目】
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国家自然科学基金(51502126),辽宁省自然科学基金(20180550802),辽宁科技大学省级重点实验室中心开放课题(USTLKFSY201705)
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室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In2O3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In2O3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能。结果表明:电压为2V时,制备的Sn/In2O3薄膜光电性能最佳,透光率为92.86%,电阻率0.19mΩ·cm。氧化退火后,3V电压制备的Sn/In2O3复合薄膜电阻率增大,透光率得到明显改善。
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