【摘 要】
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通过射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了Nd,La掺杂的ZnO薄膜.应用XRD分析了所制备薄膜的微结构,Nd,La掺入了ZnO晶格,没有改变ZnO薄膜的结构,薄膜为沿（100）,（101）方向生长的纳米
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通过射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了Nd,La掺杂的ZnO薄膜.应用XRD分析了所制备薄膜的微结构,Nd,La掺入了ZnO晶格,没有改变ZnO薄膜的结构,薄膜为沿（100）,（101）方向生长的纳米多晶结构.通过AFM观测与分析表明,Nd,La掺杂ZnO薄膜的表面形貌粗糙,呈现拱形.Nd^3＋离子与La^3＋离子4f轨道上电子数不同可能是Nd,La掺杂ZnO薄膜生长差异的主要原因.
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