【摘 要】
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通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温
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通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR～7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×106A/cm2.
By Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition (HPCVD), we prepared a MgB2 superconducting thick film with a thickness of 8μm on c-SiC substrate. The measurement of electrical properties shows that the initial superconducting transition temperature is 41.4K, a transition width of 0.5K, and a residual resistance ratio of RRR ~ 7. Magnetic properties show that the critical current density of the sample at 5K and zero field reaches 1.7 × 106A / cm2.
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