论文部分内容阅读
采用C8051F580作为主控CPU，隔离芯片ADM2587E搭建通信通道，按键控制通信过程，LCD显示通信状态，构建了RS-422通信的物理层。通过程序合理设计，实现了基于RS-422的双机通信。
基于C8051F580的双通道RS-422通信电路设计
【摘 要】
：
采用C8051F580作为主控CPU，隔离芯片ADM2587E搭建通信通道，按键控制通信过程，LCD显示通信状态，构建了RS-422通信的物理层。通过程序合理设计，实现了基于RS-422的双机通信。
【机 构】
：
中国兵器工业第214研究所
【出 处】
：
集成电路通讯
【发表日期】
：
2016年4期
其他文献
为了充分发挥单电源运放的优势，需对它进行合适的偏置设计，而偏置设计特男11是在多级运放中的偏置设计加重了单电源设计的困难。通过电阻分压、齐纳二极管、线性稳压器等偏置电
<正> 在碱性介质中只有少数氧化剂如Ag(Ⅲ)及Cu(Ⅲ)仍有较强的氧化性,因此研究Ag(Ⅲ)、Cu(Ⅲ)络合物阴极还原的电极电势、电子转移数及还原机理,对于深入了解它们作为氧化剂
酸性磷(瞵)酸酯是一类重要的萃取剂,它们对金属离子的萃取性能和机理研究巳有报导,但大多限于溶液体系。酸性磷酸酯金属萃合物的研究也有报导,但对固态烷基膦酸单烷基酯金属
在半导体集成电路制造工艺中，硅膜自停止化学腐蚀有着广泛的应用，可用于形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制。当氢氟酸、硝酸、冰乙酸的比例为x：1：y；x／y〈0．28，且x,y均大于1
为解决在MEMS器件深腔结构中出现的引线断裂问题，提出了一种W／WNx／Cr／Au四层金属引线制作方法，解决了Au扩散和深腔结构中引线断裂的问题。通过选择喷胶法，选择最合适的光刻参数，解决
<正> 等离子体聚合物中存在高浓度的自由基已是众所周知的。Millard得出等离子体聚四氟乙烯的自由基浓度为10~(20)spins/g,其室温真空中的半衰期仅为16天。本文报导等离子体
<正> 二氧化钛用作石油炼制的加氢脱硫(HDS)或加氢脱氮(HDN)催化剂载体具有高的活性,其缺点是比表面小,机械强度差。为克服这些缺点,近年来研究了用共胶法、浸渍法和交替成胶
稀土化合物和烷基铝反应的研究,不仅对揭示f轨道的本质且对阐明稀土配位催化聚合烯烃的催化剂结构都有重要意义。Grcco等曾报道C<sub>8</sub>H<sub>8</sub>Ce（μ-O-i-C<sub>3<
<正> 示波滴定至今主要用于常量或半微量分析。示波滴定终点指示技术能否在微量和痕量分析中发挥作用是一个需要探索的新课题。本文报道用零电流示波双电位指示技术与动力学
随着模块电子系统轻量化、小型化以及高性能的发展趋势，BGA器件的应用越来越广泛。通过对BGA器件焊接特性、焊接实时温度曲线的测试方法、BGA器件回流焊温度曲线分析，结合回流