【摘 要】
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首次提出了一种新的采用E-SIMOX技术的界面电荷岛结构的PSOI高压器件（NI PSOI）。该结构在SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度N＋区。器件外加高压时,纵向电场所形成
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都信息工程学院通信工程系
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首次提出了一种新的采用E-SIMOX技术的界面电荷岛结构的PSOI高压器件（NI PSOI）。该结构在SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度N＋区。器件外加高压时,纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽N＋区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面,同时在下界面积累感应电子。详细研究NI PSOI工作机理及相关结构参数对BV的影响,在0.375μm介质层、2μm顶层硅上仿真获得188 V高耐压,较常规结构提高54.1%,其中附加场EI和ES分别达到190 V/μm和13.7 V/μm。
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