论文部分内容阅读
根据薄膜理论和工艺实验，采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化，获得了电阻温度系数TCR≤20×10^-6／℃的锰铜薄膜，与块材接近，实现了锰铜压力传感器的薄膜化．同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coettlcient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论。