单晶技术

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七十年代,硅单晶进入了一个新的发展阶段。一个是所谓完整晶体的质的方向,一个是所谓大容量、自动化设备方面的转折期的到来。前者为金属-氧化物——半导体大规模集成电路或功率器件所要求,受到东芝的PCT(完整晶体器件工艺)的很大刺激,而后者则受到大规模集成电路片子的75毫米化(3吋化)或IBM(国际商 Seventies, silicon single crystal has entered a new stage of development. One is the qualitative direction of the so-called complete crystal, one is the turning point of the so-called high-capacity, automated equipment. The former is required for metal-oxide-semiconductor (LSI) or power devices and is greatly stimulated by Toshiba's PCT (Complete Crystal Device Process), while the latter is driven by 75mm (3 in.) Or IBM (international business)
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