晶膜相关论文
用转矩磁强计法研究了轻RFe_2(R为La,Ce,Pr,Nd,Sm)溅射非晶膜的磁化强度和温度的关系,通过Ms-T关系确定居里温度,讨论稀土元素对轻......
Ta-W系非晶合金薄膜是在气相条件下于溅射靶基体中,使离子撞击成分为(Ta_(1-x)W_x)_(1-y)Si_y(这里的x=0.01~1,y=0.1~04)的合金靶基......
射线的辐照引起材料发生何种反应,材料的结构如何变化,在材料科学中愈来愈引起了广泛的兴趣。另外,电子显微镜的观察是在电子束照......
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EM......
采用自行研制的立式MOCVD生长系统 ,以TMGa、TEGa为Ga源 ,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试......
研究了La:YIG的液相外延生长工艺。测量了在不同温度下生长的膜的铁磁共振线宽△H;测定了膜的化学组成和衬底与外延膜的晶格失配度......
报道了Ce3+和Ce4+两种金属离子桥联苝四羧酸在二氧化钛纳米晶电极上自组装膜的制备,并利用紫外可见光谱、红外光谱、光电子能谱等......
利用TiCl4 水溶液处理TiO2 纳米晶膜电极 ,可以提高光电流 ,改善电极的光电转换性能 .对未经处理和处理后电极的比表面、孔分布 ,......
非晶稀土一过渡族(RE-TM)合金膜的很多特性引人注目,Gd-Co膜的磁单轴各向异性是其一.近年来,为探索这特性的来源,不少作者做了很......
研究在Zn、Cu置换AgNO3溶液反应中非晶膜的形成对纳米Ag晶体生长的影响。HRTEM的观察表明,置换反应中形成的纳米Ag晶体的生长前沿......
用水热法制备的TiO2纳米棒与纳米颗粒P25混合制备复合晶膜电极,通过扫描电镜、透射电镜、紫外-可见吸收光谱和电池的光电性能测试,......
用射频溅射法系统研究了非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的制备工艺,发现在0.5Pa的低氩气压下,可以得到性能优良的软磁薄膜,而且膜的性......
采用阴极电弧沉积方法,制备了与靶材成分基本相同的多元合金Inconel625膜层[1]。用XRD,SEM,TEM研究了不同入射角下所获膜层中的织构分......
1.草木灰水溶液浸种法:用2.5~3.0公斤过筛草木灰加水46公斤,充分搅拌均匀,4小时后用纱布或用纤维袋过滤,把稻种浸入过滤水溶液中,......
水稻的多种病害是通过种子带菌传染的。因此,在晚稻播种前,认真做好种子消毒工作,将沾附在种子上的病原菌杀死,减少它的发生为害,......
本文用波长色散型电子探针对GaAs衬底上Ga_xIn_(1-x)P混晶膜的元素组分进行了分析,为用SEM-WDS测定该类混晶膜材料作了一次试验。
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论述了功能液晶膜的新近研究结果和发展动向,指出功能液晶膜具有优异的气体分离、液体分离和电光性能,可望作为高效气体分离膜、高......
利用电子显微镜中的电子束对铜超微粒子进行了连续地照射和跟踪观察,结果表明电子束使Cu与镜筒中的低氧压气氛发生了反应,电子束的辐照......
采用真空溅射沉积技术在硅单晶Si(111)面上制备厚度约为18nm的银超细微晶膜(AgUFCP).用掠入射X射线散射技术分析了AgUFCP的结构和膜与衬底Ag/Si(111)界面形态.用广角X射线衍......
利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在GaAs(100)衬底上实现了完全(111)取向的C60单晶膜的生长.用扫描电子显微镜和X射线衍射技术对C60单晶膜的形貌和结构进......
利用X射线粉末衍射法和原子力显微镜对镉掺杂的TiO2纳米晶膜电极作了表征,并用光电化学方法测定了该电极的光电化学行为.实验发现当镉的掺......
为获得超高分子量聚乙烯的超高取向性,利用准稀溶液速冷解缠方法可使其λm400,力学性能大幅度提高,但距离链的理论强度还有一定差距,NMR的相......
日本电器研究一种新的磁存储方式,这种单片存储器的存储量可达到Gbit (10亿比特)的水平,经过试验证明,这种磁存储方式是世界首创......
本工作是在过去研究液晶膜红外热成像工作的基础上改进了膜结构并对成像规律进行了较深入地研究,并认为自己研制的新型膜(液晶微晶......
用Si—C复合靶(单晶硅片和高纯石墨片拼成)高频溅射形成的Si_xC_(1-x)混合非晶膜是一种宽温区温度敏感材料。这种膜具有明显的退火......
应用液相外延技术,在p型PbSnTe衬底上先生长p型PbSnTe单晶膜,继而在其上再生长n型PbTe单晶膜,从而制成8~14μm红外探测器。碲锡铅......
用分子束外延技术生长了ZnSe单晶。对未掺杂的和掺Ga的低阻ZnSe的生长和性能进行了讨论。掺Ga的ZnSe,最低电阻率为0.073 Ω·cm。......
Optical bistability (OB) in semiconductors is of increasing interest in both basic and applied research. Much is known a......
在开管系统内,用气相外延生长法在锗和硅的衬底上外延生长了 ZnS 薄膜,生长温度为750~855℃。外延膜经 X 射线衍射分析测定是单晶。......
由于汞压难于控制,碲镉汞液相外延中汞压的控制被认为是该工艺成败的关键之一。用充H_2和附加HgTe控制汞源形成所谓增压液相外延,......
用炉退火和快速红外退火对经过Si离子注入的厚度为0.3—0.54微米的蓝宝石上硅膜(SOS)进行固相外延,并用离子背散射沟道技术和剖面......
系统研究了溅射工艺对非晶磁性薄膜的影响,发现在不同的氩气压下,薄膜的磁学性质随负偏压有不同的变化关系。采用电子探针、扫描电......
本文介绍了 ALE 的生长模型以及它与一般 VPE (包括 MOCVD)、MBE 技术的根本区别。ALE 已成功地用于生长 TeCd、CdMnTe、GaAs、In......
报道用开管汽相外延法生长长波碲镉汞晶膜的结果。实验表明,用这种方法容易得到适合红外焦平面列阵器件制备用的大面积均匀优质碲......
Ta-W系非晶合金薄膜是在真空条件下,加热熔化成分为(Ta_(1-x)W_x)_(1-y)(Si_(1-u)B_u)_y(这里的x=0.01~1,y=0.1~0.4,u=0.01~0.99)的......
本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相......
NEC公司已制成毫米波通信收发信机用的高性能晶体管。为使电子高速移动,改进GaAs异质半导体HBT结构,对于这种晶体管,达到世界最高频率......
用真空双源蒸镀法在NaCl和Si单晶衬底上制备Fe,Dy成分调制多层膜.研究了非晶膜晶化过程,等温退火后多层膜结构及磁性变化。结果表明,在200℃以下退火......
响应于1~3μm红外波段的MOCVD-HgCdTe红外探测器件马可军,俞振中(上海技术物理研究所上海200083)我们采用IMP工艺生长出了组分处于0.4~0.7μm范围内的HgCdTeMOCVD晶膜材料,随后对晶膜......
通过X光衍射图分析,确认了较低温度下CVD法生长的非掺杂SnO2晶膜含有较多的偏离SnO2配位的晶体成份,从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度......