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晶体管的二次击穿线是构成其安全工作区（SOA）的重要曲线,作者对该问题进行了多年的探讨和实验。文章详尽地论述了二次击穿的机理是由于电流或电压应力所引起的破坏性结果。简要叙述了芯片材料、制造与组装工艺对二次击穿的影响,指出了器件的电性能、应用电路以及环境温度与二次击穿的关系,从而为晶体管避免二次击穿提供了方向。最后介绍了一种检测二次击穿的简易方法,并根据所测得的数据描绘了功率晶体管（2SD880、3DD13003）的二次击穿特性曲线。文中还示出了二次击穿造成芯片损伤以及器件发生二次击穿时的曲线照片。