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本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型,详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。通过模型分析探讨,得出了电路发生闩锁的内在条件,并和惯用的简化模型发生闩锁的内在条件进行了对比讨论。利用LSTRAC-2电路分析程序对本模型和惯用简化模型进行了模拟,就模拟结果和理论分析结果进行了分析比较。