【摘 要】
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从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺参数的引入 ,同时对子电路进行了有效的简化
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所 北京100084,北京100084,北京100084
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从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺参数的引入 ,同时对子电路进行了有效的简化 .在参数提取软件中的加载结果表明 ,该模型结构简单 ,运算速度快 ,物理概念清晰 ,拟合曲线与测试数据符合精度高 (直流误差 5 %以内 ,交流误差10 %以内 ) ,适于在电路模拟及参数提取软件中应用
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