【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似（LDA）下研究了B掺杂Si/SiO2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO2界面均属于
【机 构】
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南京信息工程大学物理与光电工程学院; 南京信息工程大学江苏省气象探测与信息处理重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(61307113,61306138);江苏高校品牌专业建设工程项目(TAPP);江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目(201710300092)
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似（LDA）下研究了B掺杂Si/SiO2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO2界面在低能区（即红外区）的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考.
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