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摘 要 通过对电容套管介质损耗试验，我们能够有效地发现因电容套管制造工艺不良或末屏断裂而引起的内部局部放电缺陷，及早地避免因绝缘缺陷而引发的套管爆炸事故，介质损耗试验中通常会遇到电容量Cx及介质损值tgδ的异常变化，文章针对主绝缘介损值变化异常，而电容量变化不显著的问题进行分析及处理，有效的判断出是末屏小套管锈蚀引起的介质损耗测试数据异常，建议对电容套管的末屏绝缘状况引起关注。
关键词 电容式套管；介质损耗；末屏小套管；数据异常
中图分类号：TM216 文献标识码：A 文章编号：1671-7597（2013）23-0031-01
大唐兰州西固热电有限责任公司二厂110 kV系统所属穿墙套管均为油纸绝缘的电容式套管。但近几年先后发现，个别套管的介质损耗值呈现逐年上升趋势，或者介质损耗值超标现象，但从化学方面的色谱分析结果来看，各项检测指标未见异常现象。在排除了由于外界因素影响套管的介质损耗值超标的因素后，根据油纸电容式套管的特殊结构分析，造成电容式套管介损超标的原因主要是内部放电缺陷所致，其内部放电缺陷的原因主要有两个：
1）由于制造工艺不良，绕制不紧，使电容芯子存在气隙，这些气隙在高电场作用下，发生局部放电，引起油的分解和绝缘化。
2）电容套管的末屏接地引线断裂，造成电容屏的电位悬浮，以及测量小套管的引线断裂而在油中引起放电。
1 电容套管介质损耗数据分析与末屏检查
08年5月15日11002的B相穿墙套管介损检测结果如表1。从表1套管的介质损耗检测数据中看到，电容值的变化与06年相比为+0.87%，与07年相比为+5.5%。在《电力设备预防性试验规程》（DL/T596-1996）中规定电容型套管的电容值与出厂或上一次的试验值的差别超过±5%时，应查明原因。对该套管再次进行了正接线介质损耗测量，测量结果与交接使得测试数据相比基本吻合，电容套管的绝缘油色谱、简化分析各项指标均合格。因此，我们进一步将反接线测量数据与历年因RTV涂料失效引起的介损超标检测结果（电容值和介损值均变化显著）对比、分析，变电专业技术人员配合对11002的B相穿墙套管本体进行了仔细检查，发现由于套管末屏接地点锈蚀，接地不良，运行电压下或试验时，末屏由电离可能发展为局部放电而导致电容套管主绝缘的介质损耗损耗tgδ值增大。经处理电容套管末屏接地点，保证了电容式套管末屏接地的完好性。经试验，介质损耗试验结果合格。
08年5月17日11002的B相穿墙套管末屏小套管锈蚀处理后，经试验人员检测，介质损耗试验结果合格，如表2。
表2 11002的B相穿墙套管末屏处理后介质损耗测量数据
电容值（Pf） 介损值（%） 备注 试验接线
450.8 0.56 06年测量结果 反接线
453.86 0.47 08年末屏小套管锈蚀处理后介质损耗试验结果合格
2 经验及总结
在11002的B相穿墙套管因末屏小套管锈蚀而引起的介质损耗测量数据异常的经验基础上，我们又先后于08年7月17日处理了1122的B相套管、08年8月6日处理了1109的C相套管末屏接地点锈蚀，试验数据分别见表3、表4。经分析及现场实际检查，发现二厂110 kV电容套管处在无防水檐遮挡的位置，末屏小套管接地点的接触面受环境影响出现氧化现象，致使末屏小套管接地点锈蚀 ，造成末屏接地不良。电容式套管末屏如接地不良，当进行介损试验时，末屏对地放电会导致tgδ值增大。如套管长期运行造成电容末屏的电位悬浮，末屏对地放电，最终引起套管爆炸，影响电网的安全运行。
表3 1122的B相穿墙套管介质损耗检测数据
电容值（Pf） 介损值（%） 备注 试验接线
348.8 2.53 介损结果严重超标 反接线
335.73 0.407 末屏接地点处理后，
介损检测结果合格
表4 1109的C相穿墙套管介质损耗试验数据
电容值（Pf） 介损值（%） 备注 反接线
468.3 0.863 介损结果接近1%的标准
455.73 0.407 末屏接地点处理后，
介损检测结果合格
通过在电容套管介质损耗试验中，因末屏小套管锈蚀引起的介质损耗测试数据异常分析，我们应当认识到，在进行电气设备绝缘状况分析时，应结合历年试验数据、电气设备绝缘油色谱分析数据及现场实际情况进行综合分析、判断，以便对电气设备的健康状况达到准确的判断，及时发现设备的隐形缺陷，保证电网的安全运行。
参考文献
[1]陈天翔，王寅忠.电气试验方法[M].北京：中国电力出版社，2005.
[2]李建明，朱康.高壓电气试验方法[M].北京：中国电力出版社，2005.
[3]陈化钢.电力设备预防性试验方法及诊断技术[M].北京：中国科学技术出版社，2001.
关键词 电容式套管；介质损耗；末屏小套管；数据异常
中图分类号：TM216 文献标识码：A 文章编号：1671-7597（2013）23-0031-01
大唐兰州西固热电有限责任公司二厂110 kV系统所属穿墙套管均为油纸绝缘的电容式套管。但近几年先后发现，个别套管的介质损耗值呈现逐年上升趋势，或者介质损耗值超标现象，但从化学方面的色谱分析结果来看，各项检测指标未见异常现象。在排除了由于外界因素影响套管的介质损耗值超标的因素后，根据油纸电容式套管的特殊结构分析，造成电容式套管介损超标的原因主要是内部放电缺陷所致，其内部放电缺陷的原因主要有两个：
1）由于制造工艺不良，绕制不紧，使电容芯子存在气隙，这些气隙在高电场作用下，发生局部放电，引起油的分解和绝缘化。
2）电容套管的末屏接地引线断裂，造成电容屏的电位悬浮，以及测量小套管的引线断裂而在油中引起放电。
1 电容套管介质损耗数据分析与末屏检查
08年5月15日11002的B相穿墙套管介损检测结果如表1。从表1套管的介质损耗检测数据中看到，电容值的变化与06年相比为+0.87%，与07年相比为+5.5%。在《电力设备预防性试验规程》（DL/T596-1996）中规定电容型套管的电容值与出厂或上一次的试验值的差别超过±5%时，应查明原因。对该套管再次进行了正接线介质损耗测量，测量结果与交接使得测试数据相比基本吻合，电容套管的绝缘油色谱、简化分析各项指标均合格。因此，我们进一步将反接线测量数据与历年因RTV涂料失效引起的介损超标检测结果（电容值和介损值均变化显著）对比、分析，变电专业技术人员配合对11002的B相穿墙套管本体进行了仔细检查，发现由于套管末屏接地点锈蚀，接地不良，运行电压下或试验时，末屏由电离可能发展为局部放电而导致电容套管主绝缘的介质损耗损耗tgδ值增大。经处理电容套管末屏接地点，保证了电容式套管末屏接地的完好性。经试验，介质损耗试验结果合格。
08年5月17日11002的B相穿墙套管末屏小套管锈蚀处理后，经试验人员检测，介质损耗试验结果合格，如表2。
表2 11002的B相穿墙套管末屏处理后介质损耗测量数据
电容值（Pf） 介损值（%） 备注 试验接线
450.8 0.56 06年测量结果 反接线
453.86 0.47 08年末屏小套管锈蚀处理后介质损耗试验结果合格
2 经验及总结
在11002的B相穿墙套管因末屏小套管锈蚀而引起的介质损耗测量数据异常的经验基础上，我们又先后于08年7月17日处理了1122的B相套管、08年8月6日处理了1109的C相套管末屏接地点锈蚀，试验数据分别见表3、表4。经分析及现场实际检查，发现二厂110 kV电容套管处在无防水檐遮挡的位置，末屏小套管接地点的接触面受环境影响出现氧化现象，致使末屏小套管接地点锈蚀 ，造成末屏接地不良。电容式套管末屏如接地不良，当进行介损试验时，末屏对地放电会导致tgδ值增大。如套管长期运行造成电容末屏的电位悬浮，末屏对地放电，最终引起套管爆炸，影响电网的安全运行。
表3 1122的B相穿墙套管介质损耗检测数据
电容值（Pf） 介损值（%） 备注 试验接线
348.8 2.53 介损结果严重超标 反接线
335.73 0.407 末屏接地点处理后，
介损检测结果合格
表4 1109的C相穿墙套管介质损耗试验数据
电容值（Pf） 介损值（%） 备注 反接线
468.3 0.863 介损结果接近1%的标准
455.73 0.407 末屏接地点处理后，
介损检测结果合格
通过在电容套管介质损耗试验中，因末屏小套管锈蚀引起的介质损耗测试数据异常分析，我们应当认识到，在进行电气设备绝缘状况分析时，应结合历年试验数据、电气设备绝缘油色谱分析数据及现场实际情况进行综合分析、判断，以便对电气设备的健康状况达到准确的判断，及时发现设备的隐形缺陷，保证电网的安全运行。
参考文献
[1]陈天翔，王寅忠.电气试验方法[M].北京：中国电力出版社，2005.
[2]李建明，朱康.高壓电气试验方法[M].北京：中国电力出版社，2005.
[3]陈化钢.电力设备预防性试验方法及诊断技术[M].北京：中国科学技术出版社，2001.