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基于实际器件的材料和结构参数，利用ANSYS软件对泵浦用808nm半导体激光器一维线阵列在连续及准连续驱动条件下的稳态及瞬态温度分布进行了模拟和分析，并采用纵模光谱法对稳态热阻进行了测量，实测与模拟结果基本吻合。
大功率半导体激光器阵列热特性分析
【摘 要】
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基于实际器件的材料和结构参数，利用ANSYS软件对泵浦用808nm半导体激光器一维线阵列在连续及准连续驱动条件下的稳态及瞬态温度分布进行了模拟和分析，并采用纵模光谱法对稳态热
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所,中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年11期
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