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本文主要介绍了A1N的成瓷工艺，金属化方法，特性及在新型电子器件中的应用示例，A1N在功率电子领域有限取代BeO，成为本世纪大量应用的主导电子材料。
新型功率混合集成电路材料—氮化铝（A1N）
【摘 要】
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本文主要介绍了A1N的成瓷工艺，金属化方法，特性及在新型电子器件中的应用示例，A1N在功率电子领域有限取代BeO，成为本世纪大量应用的主导电子材料。
【机 构】
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信息产业部电子第43研究所
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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2001年3期
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