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由于金刚石薄膜具有优良的高温压阻特性,适合于制作高温压力传感器。在Φ50mm〈100〉硅单晶衬底上用热丝CVD法生长本征多晶金刚石薄膜作为绝缘隔离层,通过掩模选择性生长法得到掺硼金刚石薄膜电阻条,再经金属化处理和腐蚀硅压力腔,得到了压阻式金刚石压力微传感器的原型器件。对该器件的压力输出特性测量表明,输出电压—压力曲线线性较好,重复性好,常温下灵敏度高。