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通过实验研究了部分耗尽SOIN MOSFET总剂量辐射效应-9辐射时的偏置状态的关系，实验结果表明TG（Transition Gate）是最恶劣的偏置状态。随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度-9空穴俘获率。模拟结果合理地解释了实验结果，掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因。