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基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂质浓度和杂质浓度分布的优化,可以改善器件击穿电压的一致性,提高器件的雪崩击穿能量并改善其均匀性,从而给出了一种提高器件雪崩能量及改善雪崩能量一致性的方案。
深沟槽填充超结的电荷平衡对器件性能的影响
【摘 要】
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基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂质浓度和杂质浓度分布的优化,可以改善器件
【机 构】
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上海华虹宏力半导体制造有限公司,深圳尚阳通科技有限公司
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2016年3期
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