雪崩能量相关论文
传统的功率器件一直是用纵向的低掺杂漂移层作为耐压支持层,但近年来,一种称为“超结”的CoolMOS器件逐渐流行,这种“超结”结构很......
随着大功率场效应晶体管(Power MOSFET)的应用越来越广泛,由于场效应管失效引起的整机失效的比例也在逐渐上升.这这些失效中,很大......
本文通过对PiN二极管在不同反向雪崩电流下空间电荷区电场分布的仿真分析，研究了电场分布与反向电流之间的关系，当反向电流达到一定......
飞兆半导体推出1200V／15A NPT-Trench IGBT FGA15N120ANTD，该器件能在电磁感应加热（1H）电器中耐受高达300mJ的雪崩能量，有助于设备在非......
在前期高速绝缘栅双极晶体管（IGBT）的基础上提出一种高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管（CT-IGBT）。该器件沟槽集电极与漂移区的内建电势......
基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂......
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程......
现如今,功率MOSFET在电子电力设备中应用十分广泛,随着不断的发展,至今已成为工业领域最重要的器件之一,因此由于它而引起的整机失......
